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委測服務-X光繞射分析儀(XRD)
產品編號
A0110
規格 & 說明
光源：Cu Kα（λ = 1.5406 Å）
X光電壓：~50千伏特(kV)
X光功率：~5.4千瓦 (kW)
掃描模式：θ–2θ、GIXRD、Phi scan
分析時間：依模式不同，約需 15 分鐘至 1 小時
不測試具揮發性、腐蝕性、爆炸性和毒性樣品
• 結晶相鑑定與結構分析：無機材料、藥物、金屬、空氣敏感樣品、高分子與薄膜材料等材料。
• 結晶取向分析(2D、φ scan)。
• 薄膜繞射分析（GIXRD）。
• 0D/1D/2D分析。
• -190~600°C變溫分析
報告呈現：
圖譜及資料庫比對
應用類型
用於分析晶體材料的特性，包含結構、相位、晶體取向和其他結構參數分析。
薄膜、先進材料、半導體與材料工程研究。
．結構與相位分析：多相鑑定與定量、晶胞參數、無定形物定量。
．晶體取向分析：優選取向與極圖、搖擺曲線。
．其他核心結構參數：微觀應變與位錯密度、晶粒尺寸、倒晶格空間映射。
．半導體與電子薄膜產業：外延層分析、倒晶格空間映射、反射率測試。
．材料工程與金屬加工：殘留應力分析、織構與優選取向。
．微區與不均勻樣品分析：微小區域鑑定、二維對位映射。
．前沿能源材料與新型晶體結構：電池材料原位分析、高通量篩選。
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- 應用領域
- 案例實機
其應用領域高度集中於半導體、光電元件、薄膜工程與前瞻材料研發。
主要應用領域如下
- 半導體與先進封裝（Semiconductor & Packaging）：
- 磊晶品質評估： 利用高解析繞射（HRXRD）與搖擺曲線（Rocking Curve）測量 GaN、SiC、GaAs 或 SiGe 等半導體磊晶層的晶體缺陷密度與晶格品質。
- 晶格應變與應力分析： 透過快速倒易空間（RSM）與殘留應力分析，評估半導體薄膜中的晶格失配（Lattice Mismatch）、弛豫度（Relaxation）及加工引發的殘餘應力。
- 光電、顯示器與功率元件（Optoelectronics & Power Devices）：
- 第三代半導體： 分析車用功率元件（SiC/GaN）的多晶型相純度與結晶取向。
- Micro-LED 與雷射二極體： 利用 HRXRD/RSM 解析多重量子井（MQW）結構的週期厚度、銦/鋁組分分佈與界面品質。
- 薄膜工程、鍍膜與奈米元件（Thin Film & Nano-Devices）：
- 超薄膜界面與厚度量測： 利用薄膜全反射（XRR）精確測量奈米級（< 100 nm）薄膜的厚度、電子密度及界面/表面粗糙度。
- 極薄鍍膜晶相鑑定： 利用低掠角繞射（GID/GIXRD）抑制基材背景訊號，精準鑑定表面奈米鍍膜或軟性電子薄膜的結晶相。
- 高分子與有機薄膜： 利用極低起始角廣角繞射（WXRD）分析長週期結構、有機半導體薄膜（如 OLED/太陽能電池）及高分子薄膜的分子堆疊與結晶度。
- 儲存媒體與功能性氧化物（Storage & Functional Oxides）：
- 磁性元件與記憶體： 量測 MRAM、磁性多層膜的各層厚度與界面平整度（XRR）。
- 壓電/鐵電薄膜： 利用 GID 與 RSM 分析薄膜在電場或應變作用下的晶格畸變與相轉變。
- 精密工程與冶金：
- 元件壽命與結構安全性： 利用殘留應力分析（Residual Stress）評估金屬、鍍層、焊接或熱處理後的內部應力分佈，預測材料抗疲勞與抗開裂能力。
想知道薄膜有多厚、晶體品質好不好、內部有沒有拉扯應力，或者奈米層有沒有疊好，都是這台儀器的擅長領域！
聚縮醛(Polyoxymethylene, POM)結晶分析
無機抗菌劑組成定性分析、觸媒結晶性分析、高分子纖維晶粒尺寸與取向度分析等
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