委測服務-X光繞射分析儀(XRD)
產品編號
A0110
規格 & 說明
光源：Cu Kα（λ = 1.5406 Å）
X光電壓：~50千伏特(kV)
X光功率：~5.4千瓦 (kW)
掃描模式：θ–2θ、GIXRD、Phi scan
分析時間：依模式不同，約需 15 分鐘至 1 小時
不測試具揮發性、腐蝕性、爆炸性和毒性樣品
• 結晶相鑑定與結構分析：無機材料、藥物、金屬、空氣敏感樣品、高分子與薄膜材料等材料。
• 結晶取向分析(2D、φ scan)。
• 薄膜繞射分析（GIXRD）。
• 0D/1D/2D分析。
• -190~600°C變溫分析
報告呈現：
圖譜及資料庫比對
應用類型
用於分析晶體材料的特性，包含結構、相位、晶體取向和其他結構參數分析。
薄膜、先進材料、半導體與材料工程研究。
．結構與相位分析：多相鑑定與定量、晶胞參數、無定形物定量。
．晶體取向分析：優選取向與極圖、搖擺曲線。
．其他核心結構參數：微觀應變與位錯密度、晶粒尺寸、倒晶格空間映射。
．半導體與電子薄膜產業：外延層分析、倒晶格空間映射、反射率測試。
．材料工程與金屬加工：殘留應力分析、織構與優選取向。
．微區與不均勻樣品分析：微小區域鑑定、二維對位映射。
．前沿能源材料與新型晶體結構：電池材料原位分析、高通量篩選。
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